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由于石墨烯缺乏本征带隙,半导体石墨烯在石墨烯纳米电子学中起着重要作用。在过去的二十年中,通过量子限域或化学官能团化来改变带隙的尝试未能生产出可行的半导体石墨烯。 佐治亚理工学院的Walter de Heer教授联合天津大学的马雷教授证明了在单晶碳化硅衬底上的半导体外延石墨烯(SEG)具有0.6 eV的带隙和超过5,000 cm2 V-1 s-1的室温迁移率,是硅的10倍,其他二维半导体的20倍,换句话说,电子以非常低的阻力移动,效率更高。这个世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体,克服了电子领域
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