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Rohm罗姆半导体SP8M51TB1芯片:SP8M51TB1是一款高性能的MOSFET N/P-CH芯片,采用8引脚SOP封装,适用于各种电子设备中。该芯片具有多种技术特点,如高电压、大电流、高效率等,适用于各种应用场景。 技术特点: * 电压范围广泛,最高可达100V,电流最大可达3A/2.5A; * 芯片内部结构紧凑,具有高效率和高可靠性; * 采用先进的半导体工艺技术,具有优异的性能和稳定性; * 适用于各种电子设备,如电源管理、电机驱动、LED照明等。 方案应用: * 在电源管理领域,
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司,其SH8M70TB1芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH芯片,具有250V和3A/2.5A的额定电流,适用于各种电子设备的电源管理。 该芯片采用先进的工艺技术,具有高效率、低功耗、高速度、高可靠性等优点。其8SOP封装形式,使得该芯片在应用上具有很高的灵活性和可扩展性。 在方案应用方面,该芯片可以广泛应用于电源管理、电机驱动、变频器、电子镇流器、充电器等领域。其高效率、低噪音的特点,使得它在这些领域中具有很高的竞争力。 具体应用方案包括但不
Rohm罗姆半导体MP6K31TR芯片MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体MP6K31TR芯片是一款高性能的MOSFET器件,采用2N-CH 60V 2A MPT6技术制造,具有出色的性能和可靠性。该芯片广泛应用于各种电子设备中,特别是在电源管理、电机控制和汽车电子领域中发挥着重要作用。 MP6K31TR芯片具有快速导通和断弧性能,能够在瞬间承受大电流和高电压,从而有效地保护电路免受损坏。此外,该芯片还具有低饱和电压和低栅极电荷等特点,使得开关速度
Rohm罗姆半导体SP8J65TB1芯片是一款高性能的MOSFET器件,具有2P-CH、30V、7A等特性,适用于各种电子设备中。该芯片采用8SOP封装,具有优良的电气性能和可靠性,适用于各种复杂的应用场景。 该芯片的技术特点包括高输入阻抗、低导通电阻、快速响应速度等,使其在高温、高压、高频率等恶劣环境下仍能保持良好的性能。此外,该芯片还具有低功耗、低噪音、高效率等优点,适用于各种电子设备的电源管理、信号处理等领域。 该芯片的应用领域非常广泛,包括电源管理、信号处理、通信设备、汽车电子、消费电
Rohm罗姆半导体SP8J5FU6TB芯片MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司,其SP8J5FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET芯片,具有2P-CH、30V、7A等特性,适用于各种电子设备。 SP8J5FU6TB芯片采用先进的MOSFET技术,具有高效率、低功耗、高耐压、高电流等优点。该芯片的2P-CH特性使其适用于双通道应用,可以满足一些特殊电子设备的需要。此外,该芯片的30V和7A参数也使其在需要高电压和大电流的场
Rohm罗姆半导体SP8J1FU6TB芯片MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司,其SP8J1FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET芯片,具有2P-CH、30V、5A等特性,适用于各种电子设备。 SP8J1FU6TB芯片采用先进的MOSFET技术,具有高效率、低功耗、高耐压、高电流等优点。其2P-CH结构可以保证芯片的稳定性和可靠性,同时30V的耐压和5A的电流可以满足各种电子设备的需要。 该芯片的应用范围非常广泛,可以应
Rohm罗姆半导体SP8J3FU6TB芯片MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司,其SP8J3FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET芯片,具有2P-CH、30V、3.5A等技术规格,适用于各种电子设备。 SP8J3FU6TB芯片采用先进的MOSFET技术,具有高效率、低功耗、高耐压、高电流等优点。它适用于各种电源管理、电机驱动、电路保护等应用场景。该芯片的8SOP封装形式,使得它更容易集成到各种电路板中,从而提高了系统
Rohm罗姆半导体SP8M4FU6TB芯片MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8M4FU6TB芯片是一款高性能的N/P-CH系列MOSFET器件,采用30V、9A/7A的规格,适用于各种电子设备中。该芯片具有高导通电阻、快速响应速度、高可靠性等特点,被广泛应用于电源管理、电机驱动、变频器等领域。 SP8M4FU6TB芯片采用8脚SOIC封装,具有低功耗、高效率和高可靠性等优点。其工作温度范围宽,能在-40℃至+125℃的环境下稳定工作,