欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:比亚迪半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 芯片资讯 > D44H11:功率双极晶体管
D44H11:功率双极晶体管
发布日期:2024-10-19 08:26     点击次数:63

D44H11通用双极结型晶体管非常适合需要高电流密度且可在高电压范围内工作的电路。该双极结型晶体管的最大发射极基极电压为5 V.其最大功耗为50000 mW。为了确保零件不会被散装包装损坏,该产品采用管包装,通过将松散部件存放在外管中来增加一点保护。该双极结型晶体管的工作温度范围为-65°C至150°C。它的最大集电极发射极电压为80 V,比亚迪半导体IC芯片 最大发射极基极电压为5 V.

NPN和PNP功率晶体管可用作通用功率放大和开关,例如开关稳压器,转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。

特性

低集电极 - 发射极饱和电压

V CE(sat) = 1.0 V(最大值)@ 8.0 A.

快速切换速度

互补对简化了设计

提供无铅封装

制造商: 意法半导体

产品分类: 双极晶体管 - BJT

RoHS指令: 细节 3-1.png安装方式: 通孔

包装/案例: TO-220-3

晶体管极性: NPN

组态: 单

集电极 - 发射极电压VCEO Max: 80伏

集电极 - 基极电压VCBO: 80伏

发射极 - 基极电压VEBO: 5 V

集电极 - 发射极饱和电压: 1 V

最大直流集电极电流: 20 A.

最低工作温度: - 65摄氏度

最高工作温度: + 150 C

系列: D44H11

高度: 9.15毫米(最大)

长度: 10.4毫米(最大)

宽度: 4.6毫米(最大)

牌: 意法半导体

连续收集器电流: 10 A.

CNHTS: 8541210000

DC收集器/基座增益hfe Min: 60

HTS代码: 8541290095

MXHTS: 85412999

Pd - 功耗: 50瓦

产品类别: BJTs - 双极晶体管

工厂包装数量: 1000

类别: 晶体管

TARIC: 8541290000

单重: 0.211644盎司

3-2.png