发布日期：2024-11-12 06:50     点击次数：162

(1)发射器DC电路之一。如图1-119所示，VT1是一个正DC工作电压+v的NPN型三极管，三极管VT1的发射极直接接地形成发射极DC电流回路:流出VT1的发射极电流通过发射极直接流向地。 在图1-119中，VT1发射极电路没有元件，这是最简单的发射极DC电路。(2)发射极DC电路二。如图1-120所示，VT1是一个具有负DC工作电压-v的NPN型三极管，三极管VT1的发射极直接连接到负DC工作电压-V端，形成发射极DC电流回路:从VT1流出的发射极电流直接通过发射极流向V端。 (3)发射极DC电路三。如图1-121所示，VT1是一个正DC工作电压+v的PNP型三极管，三极管VT1的发射极通过电阻R1连接到DC工作电压+V端，电阻R1形成发射极DC电流回路:从直流工作电压+V端流出的DC电流通过R1从VT1发射极流入VT1。 VT1发射极电路中只有一个电阻R1。因为电阻器R1具有负反馈效应，R1被称为发射极负反馈电阻器。(4)发射极DC电路四。图1-122中的VT1是一个PNP型三极管，DC工作电压为负。晶体管VT1的发射极通过电阻R2接地，比亚迪半导体IC芯片 形成VT1发射极的DC电流回路。 VT1发射极电流环路是指从接地端流入R2的DC电流经过R2，从VT1发射极流入VT1。(1)R2开路故障分析。VT1在每个电极上都没有电流，VT1也没有信号输出。这是因为集电极和基极电流回路在VT1发射极开路后都开路。(2) R2短路故障分析。VT1每个电极的电流都大大增加。这是因为R2短路后发射极直接接地，这会增加基极电流，导致集电极和发射极电流大得多。(3)R2电阻增大故障分析。VT1每个电极的电流减小。这是因为当发射极电阻R2的电阻值增加时基极电流减小，所以VT1每个电极的电流减小。(4)R2电阻下降故障分析。VT1每个电极的电流增加。这是因为当发射极电阻R2的电阻减小时基极电流增加，所以VT1每个电极的电流增加。亿配芯城 - 电子元器件网上商城，提供上1400万种电子元器件采购、集成电路价格查询及交易，集成芯片查询，保证原厂正品，是国内专业的电子元器件采购平台，ic网,电子市场网,集成芯片,电子集成电路,ic技术资料下载,电子IC芯片批发,ic交易网,电子采购网,电子元器件商城,电子元器件交易,中国电子元器件网,电子元器件采购平台,亿配芯城

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