场效应管的概念

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两品种型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、平安工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是应用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

场效应管特性

（1）场效应管是电压控制器件，它经过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；

（2）场效应管的控制输入端电流极小，因而它的输入电阻（10～10Ω）很大。

（3）它是应用多数载流子导电，因而它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射才能强；

（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散惹起的散粒噪声，所以噪声低。

场效应管的参数

场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但普通运用时只需关注以下主要参数：饱和漏源电流IDSS夹断电压Up，（结型管和耗尽型绝缘栅管，或开启电压UT（增强型绝缘栅管）、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源电流IDSM。

（1）饱和漏源电流

饱和漏源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。

（2）夹断电压

夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。好像4-25所示为N沟道管的UGS一ID曲线，可明白看出IDSS和UP的意义。如图4-26所示为P沟道管的UGS-ID曲线。

（3）开启电压

开启电压UT是指增强型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。如图4-27所示为N沟道管的UGS-ID曲线，可明白看出UT的意义。如图4-28所示为P沟道管的UGS-ID曲线。

（4）跨导

跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制才干，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。9m是权衡场效应管放大才干的重要参数。

（5）漏源击穿电压

漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必需小于BUDS。

（6）最大耗散功率

最大耗散功率PDSM也是—项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。运用时场效应管理论功耗应小于PDSM并留有—定余量。

（7）最大漏源电流

最大漏源电流IDSM是另一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许经过的最大电流。场效应管的工作电流不应超越IDSM。

场效应管的作用

1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不用运用电解电容器。

2、场效应管很高的输入阻抗十分合适作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、场效应管能够用作可变电阻。

4、场效应管能够便当地用作恒流源。

5、场效应管能够用作电子开关。

场效应管在电路中如何控制电流大小

MOS管是电压控制器件，也就是需求运用电压控制G脚来完成对管子电流的控制。

普通市面上最常见的是加强型N沟通MOS管，你能够用一个电压来控制G的电压，MOS管导通电压普通在2-4V，不过要完整控制，这个值要上升到10V左右。给你引荐一种办法。

根本办法：用一个控制电压（比拟器同相输入端）和一个参考电压（比拟器反相输入端），同时进入电压比拟器（比拟器电源接正12V和地， 电子元器件采购网 比方LM358当比拟器），比拟器的输出经过5.1K电阻上拉后接G脚，假如控制电压比参考电压高，则控制MOS管导通输出电流。

参考电压能够来自于采样电阻，也就是在NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会构成电压，把它放大处置后做参考。

刚开端的时分，电流很小，所以控制电压比参考电压高很多，这时分G脚根本上都加了12V，能够使管子疾速导通，在很短时间后，当电流增大逐渐到达某个值时，参考电压疾速上升，与控制电压接近并超越时，比拟器就输出低电平（接近0V）使管子截止，电流减小。然后电流减少后，参考电压又下去，管子又导通，电流又增大。然后循环往复。

假如你用D/A输出替代控制电压，则能够取得对MOS管的准确控制，我们以前完成过输出范围10-2000mA，步进1mA，输出电流精度正负1mA的程度。

场效应管丈量办法图解

场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET），我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为加强型和耗尽型而我们平常主板中常见运用的也就是加强型的MOS管。

下图为MOS管的标识

我们主板中常用的MOS管GDS三个引脚是固定的。不论是N沟道还是P沟道都一样。把芯片放正从左到右分别为G极D极S极！如下图：

用二极管档对MOS管的丈量。首先要短接三只引脚对管子停止放电。

1、然后用红表笔接S极。黑表笔接D极。假如测得有500多的数值。。阐明此管为N沟道。

2、黑笔不动。。用红笔去接触G极测得数值为1

3、红笔移回到S极。此时管子应该为导通。

4、然后红笔测D极。而黑笔测S极。应该测得数值为1.（这一步时要留意。由于之前丈量时给了G极2.5V万用表的电压。。所以DS之间还是导通的。。不过大约10几秒后才恢复正常。。。倡议停止这一步时再次短接三脚给管子放电先）

5、然后红笔不动。黑笔去测G极。数值应该为1

到此我们能够断定此N沟道场管为正常

有的人说后面两步能够省略不测。不过我习气性把五个步骤全用上。当然。对然P沟道的丈量步骤也一样。只不过第一步为黑表笔测S极。红表笔测D极。能够测得500多的数值。

丈量办法描绘到此完毕。亿配芯城（WWW.YiBEiiC.COM)隶属于深圳市新嘉盛工贸有限公司，成立于2013年并上线服务，商城平台主要特点“线上快捷交易配单+线下实体供应交货”两全其美的垂直发展理念，是国内电子元器件专业的电子商务平台+实体店企业。未来发展及模式主要以（一站式配单，平台寄售/处理闲置库存达到资源共享双赢，电子工程师交流社区，硬件开发与支持等互动服务平台）在这个高效而发展迅猛的科技互联网时代为大家提供精准的大数据资源平台。

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