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    2024-10

    切勿忽视晶振的选型设计!

    几乎所有使用MCU的产品,外围电路都离不开晶振电路设计,大多数电子设计人员从入门开始都会接触到晶振电路,但实际上,很少有人真正了解晶振电路是如何工作的,在晶振出现问题之前,多数人不会付出太多精力去关注振荡器电路设计是否合理,通常等到产品量产,由于晶振而导致的大面积宕机现象时,才开始注意到晶振电路设计是否合理。 晶振的全称叫:石英晶体振荡器。是利用石英晶体的压电效应厂商高精度振荡频率的一种电子元件。查看维基百科,对于这种神奇的材料具体的讲解是: 晶体是指其中的原子、分子、或离子以规则、重复的模式

  • 30
    2024-09

    单片机中常用的负电压是怎样产生的?

    负电压的产生电路图原理 在电子电路中我们常常需要使用负电压,比如说我们在使用运放的时候常常需要建立一个负电压。下面就简单的以正5V电压到负电压5V为例说一下它的电路。 通常需要使用负电压时一般会选择使用专用的负压产生芯片,但这些芯片都比较贵,比如ICL7600,LT1054等。差点忘了MC34063了,这个芯片使用的最多了,关于34063的负压产生电路这里不说了,在datasheet中有的。下面请看我们在单片机电子电路中常用的两种负电压产生电路。 现在的单片机有很多都带有了PWM输出,在使用单

  • 29
    2024-09

    如何通过布线技术提高汽车电源的性能

    使用高频开关稳压器时,好的汽车电源PCB布线可以提供更干净的输出,并且简化EMI测试中的调试工作。本文以MAX16903/MAX16904开关稳压器设计为例,介绍如何布线以获得 的性能,并降低辐射。 引言 使用高频开关稳压器(如MAX16903/MAX16904)时,好的汽车电源PCB布线可以提供更干净的输出,并且简化电磁干扰(EMI)测试中的调试工作。本文以MAX16903/MAX16904开关稳压器设计为例,介绍优化系统性能的布板原则。 布线通用规则 将输入电容C3、电感L1和输出电容C2

  • 28
    2024-09

    使用数字电位器来产生可调电压输出

    本文介绍一款利用按钮式数字电位器简单高效地控制高达 20 V 电压的完整解决方案。这款完整的解决方案提供一种可调电源,可用于需要可调电压输出的各种应用。图 1 显示具有可变输出功率的相应开关稳压器,使用 AD5116 数字电位器和具有集成式推挽输出级的 ADCMP371 比较器。通过添加开关,而不是按钮,可以使用微控制器来调节电压。 AD5116 具有 64 个可用的游标位置,端到端电阻容差为±8%。此外,AD5116 包含一个 EEPROM 来存储游标位置,可通过按钮手动设置。对于需要固定标

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    2024-09

    联发科4月营收190亿元,P60终端相继上市驱动Q2双位数增长

    集微网消息,日前联发科公布4月营收为190.15亿元(新台币,下同),月减5.45%、年增加7.14%,展望第二季,联发科智能手机芯片组出货量可望出现两位数成长,第二季度营收预计比第一季度增长12~20%。联发科1~4月累计营收686.89亿元,相较去年同期减少6.99%。 随着大陆智能手机第二季度进入拉货潮旺季,采用联发科P60芯片的终端产品除OPPO R15外,预计陆续问市,将成为联发科第二季重要增长动能,预计智能手机芯片组的出货量在第二季可望出现两位数成长,接近1亿套水准,且智能手机的成

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    2024-09

    一文详细剖析开关电源IC内部结构

    作为一名电源研发工程师,自然经常与各种芯片打交道,可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解,不少同学在应用新的芯片时直接翻到 Datasheet 的应用页面,按照推荐设计搭建外围完事。如此一来即使应用没有问题,却也忽略了更多的技术细节,对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。今天以一颗 DC/DC 降压电源芯片 LM2675 为例,尽量详细讲解下一颗芯片的内部设计原理和结构,IC 行业的同学随便看看就好,欢迎指教! LM2675-5.0 的典型应用电路 这个图包含了电源芯片的内部全部单元模块,

  • 25
    2024-09

    开关电容电压反相器MAX828的关键特性和应用范围

    开关电容电压反相器MAX828的关键特性和应用范围

    超小型MAX828/MAX829单片,CMOS电荷泵逆变器接受输入电压范围为1.5V+至+5.5V。该MAX828工作在12kHz的,和MAX829在35kHz的工作。它们的高效率(在大部分负载电流范围的大于90%)和低工作电流(60μA的MAX828),使这些器件非常适合于电池供电和板级电压转换应用。 该MAX828/MAX829结合低静态电流和高效率。振荡器控制电路和四个功率MOSFET开关被包括在芯片上。应用包括产生从+5V逻辑供应功率模拟电路一个-5V电源。两个部分来在5引脚SOT23

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    2024-09

    编码器电子元器件型号大全

    通信器件编码器电子元器件型号列表:编码器类元器件功能简介:MT8950ISO-CMOS ST-BUS系列数据编解码器MT8950ACISO-CMOS ST-BUS系列数据编解码器MT8960ISO2-CMOS集成滤波器编解码器MT8961ISO2-CMOS集成滤波器编解码器MT8962ISO2-CMOS集成滤波器编解码器MT8963ISO2-CMOS集成滤波器编解码器MT8963AE集成滤波器编解码器MT8964ISO2-CMOS集成滤波器编解码器MT8965集成滤波器编解码器MT8965AC

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    2024-09

    霍尔效应传感器电子元器件型号大全

    传感器霍尔效应传感器电子元器件型号列表:霍尔效应传感器类元器件功能简介:带有两线式接口的LM75数字温度传感器热看门狗带有两线式接口的LM75CIM-3数字温度传感器热看门狗带有两线式接口的LM75CIM-5数字温度传感器热看门狗带有两线式接口的LM75CIMM-3数字温度传感器热看门狗带有两线式接口的LM75CIMM-5数字温度传感器热看门狗LM75CIMMX-3具有两线式接口的数字温度传感器热监视LM75CIMMX-5具有两线式接口的数字温度传感器热监视带有两线式接口的LM75CIMX-3

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    2024-09

    美光:下一代1Y nm工艺DRAM正在验证中,暂不需要EUV光刻

    美光:下一代1Y nm工艺DRAM正在验证中,暂不需要EUV光刻

    今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺,第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺,二代7nm才会上EUV光刻工艺,预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV工艺?在美光看来,EUV光刻工艺并不是DRAM芯片必须的,未来几年内都用不上,在新一代工艺上他们正在交由客户验证1Y nm内存芯片,未来还有1Z、1α及1β工艺。 内存行业在未来几年都不需要EUV光刻机 内存跟CPU等芯片虽然都是集成电路,生产制造过程有相似之处,不过工艺并不相同,CPU逻辑工艺今年进

  • 21
    2024-09

    TVS防护电路的典型应用

    TVS瞬态电压抑制二极管原理应用特性 瞬态抑制二极管(TVS)又叫钳位型二极管,是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件,它的外型与普通二极管相同,但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率。它的主要特点是在反向应用条件下,当承受一个高能量的大脉冲时,其工作阻抗立即降至极低的导通值,从而允许大电流通过,同时把电压钳制在预定水平,其响应时间仅为10-12毫秒,因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。 TVS允许的正向浪涌电流在TA=250C,T=10ms条件下,可达50~200A。双向TVS可在正反两个

  • 20
    2024-09

    一文知道电容式触摸感应原理与类型

    所有的电容式触摸的核心都是一组与电场相互作用的导体。 人体组织的皮肤是一种有损电解质,相当于导电电极,在简单的平行片电容中间隔着一层电介质,该系统中的大部分能量聚集在电容器极板之间,少许的能量会溢出到电容器极板以外的区域,当手指放在电容触摸系统时,相当于放置于能量溢出区域(称为:边缘场),并将增加该电容系统的导电表面积。 电容感应的方法分为两种:自电容感应、互电容感应技术—— 自电容感应技术 自电容使用一个引脚,并测量该引脚和电源地之间的电容。即:驱动与传感器相连的引脚上的电流,由于将手指放在